IR拋光CZ(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)
注：更多型號(hào)參數(shù)，請(qǐng)直接咨詢(xún)客服光學(xué)硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對(duì)于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ(Czochralski提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。 如果需要FZ(Float Zone材料)，可以提供沒(méi)有這種吸收的（FZ）工藝的材料。硅主要用作3至5um波段的光學(xué)窗口并用作光學(xué)濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實(shí)驗(yàn)中的中子靶。硅通過(guò)Czochralski提拉法技術(shù)（CZ）生長(zhǎng)并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過(guò)（FZ）工藝制備。 光學(xué)硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補(bǔ)償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。
IR拋光CZ(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片),IR拋光CZ(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)
| 透射范圍： | 1.2〜15μm（1） |
| 折射率： | 3.4223 @5μm（1）（2） |
| 反射損耗： | 46.2％@5μm（2個(gè)表面） |
| 吸收系數(shù)： | 0.01cm -1 at 3μm |
| 吸收峰： | n / a |
| dn / dT： | 160×10-6 /℃（3） |
| dn /dμ= 0： | 10.4μm |
| 密度： | 2.33g / cc |
| 熔點(diǎn)： | 1420℃ |
| 熱導(dǎo)率： | 273.3W m-1 K-1 |
| 熱膨脹： | 2.6×10 -6 /℃ at 20℃ |
| 硬度： | Knoop 1150 |
| 比熱容： | 703JKg-1K-1 |
| 介電常數(shù)： | 13 at 10GHz |
| 楊氏模量（E）： | 131GPa（4） |
| 剪切模量（G）： | 79.9GPa（4） |
| 體積模量（K）： | 102GPa |
| 彈性系數(shù)： | C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4） |
| 表觀彈性限： | 124.1MPa（18000 psi） |
| 泊松比： | 0.266（4） |
| 溶解性： | 不溶于水 |
| 分子量： | 28.09 |
| 類(lèi)別/結(jié)構(gòu)： | 立方鉆，F(xiàn)d3m |
折射率:(No = Ordinary Ray)
| µm | No | µm | No | µm | No |
| 1.357 | 3.4975 | 1.367 | 3.4962 | 1.395 | 3.4929 |
| 1.5295 | 3.4795 | 1.660 | 3.4696 | 1.709 | 3.4664 |
| 1.813 | 3.4608 | 1.970 | 3.4537 | 2.153 | 3.4476 |
| 2.325 | 3.4430 | 2.714 | 3.4358 | 3.000 | 3.4320 |
| 3.303 | 3.430 | 3.500 | 3.4284 | 4.000 | 3.4257 |
| 4.258 | 3.4245 | 4.500 | 3.4236 | 5.000 | 3.4223 |
| 5.500 | 3.4213 | 6.000 | 3.4202 | 6.500 | 3.4195 |
| 7.000 | 3.4189 | 7.500 | 3.4186 | 8.000 | 3.4184 |
| 8.500 | 3.4182 | 10.00 | 3.4179 | 10.50 | 3.4178 |
| 11.04 | 3.4176 |
硅CZ圓形窗片:
| 訂購(gòu)型號(hào) | 規(guī)格（D×L） | 材料類(lèi)型 | 應(yīng)用光譜范圍 |
| SICZP10-0.5 | 10.0×0.5mm | CZ | IR polished |
| SICZP25-2 | 25.0×2.0mm | CZ | IR polished |
| SICZP25.4-1 | 25.4×1.0mm | CZ | IR polished |
| SICZP25.4-4 | 25.4×4.0mm | CZ | IR polished |
| SICZP25.4-7W | 25.4mm Ø x 7mm CT 7.5° 楔形 | CZ | IR polished |
| SICZP30-2 | 30.0×2.0mm | CZ | IR polished |
| SICZP30-2AR | 30.0×2.0mm AR | CZ | IR polished |
| SICZP32-3D | 32.0×3.0mm 打孔 | CZ | IR polished |
| SICZP32-3 | 32.0×3.0mm 未打孔 | CZ | IR polished |
| SICZP50-3 | 50.0×3.0mm | CZ | IR polished |
硅FZ圓形窗片:
| 訂購(gòu)型號(hào) | 規(guī)格（D×L） | 材料類(lèi)型 | 應(yīng)用光譜范圍 |
| SIFZP10-2 | 10.0×2.0mm | FZ | IR |
| SIFZP12-1 | 12.0×1.0mm | FZ | IR |
| SIFZP13-1 | 13.0×1.0mm | FZ | IR |
| SIFZP15-1 | 15.0×1.0mm | FZ | IR |
| SIFZP25.4-0.5 | 25.4×0.5mm | FZ | IR |
| SIFZP25.4-1 | 25.4×1.0mm | FZ | IR |
| SIFZP30-2 | 30.0×2.0mm | FZ | IR |
| SIFZP30-3 | 30.0×3.0mm | FZ | IR |
矩形CZ硅Si窗片:
| 訂購(gòu)型號(hào) | 規(guī)格（L×W×H） | 材料類(lèi)型 | 應(yīng)用光譜范圍 |
| SICZP25-15-2 | 25.0×15.0×2.0mm | CZ | IR |
| SICZP50-50-10NEUT | 50mm x 50mm x 10mm N-type (111) 硅 (Si) 塊單面拋光，用于中子反射率 (Neutron Reflectivity) | CZ | IR |
公司簡(jiǎn)介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司是一家被上海市評(píng)為技術(shù)企業(yè)的業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項(xiàng)目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m²的辦公區(qū)域，建有500平的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗(yàn)室，為國(guó)內(nèi)外客戶提供業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營(yíng)光學(xué)元件、激光光學(xué)測(cè)試設(shè)備、以及光學(xué)系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。依托業(yè)、強(qiáng)大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團(tuán)隊(duì)，筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長(zhǎng)。目業(yè)務(wù)覆蓋國(guó)內(nèi)外各高校、頂科研機(jī)構(gòu)及相關(guān)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團(tuán)隊(duì)以及業(yè)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，奠定了我們?cè)谠O(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)域堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
主要經(jīng)營(yíng)
激光器/光源
半導(dǎo)體激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
氣體激光器（HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器）
光纖激光器（連續(xù)激光器、超短脈沖激光器）
光學(xué)元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅(qū)動(dòng)板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準(zhǔn)直器、光接收組件、激光控制驅(qū)動(dòng)器等各種無(wú)源器件
激光分析設(shè)備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀，激光波長(zhǎng)計(jì)、紅外相機(jī)、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀察鏡等
光纖處理設(shè)備
光纖拉錐機(jī)、裸光纖研磨機(jī) 。
更新時(shí)間：2023/8/11 10:04:58
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