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IR拋光CZ(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)

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總覽

光學(xué)硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對(duì)于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ(Czochralski提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。如果需要FZ(Float Zone材料)，可以提供沒(méi)有這種吸收的（FZ）工藝的材料。硅主要用作3至5um波段的光學(xué)窗口并用作光學(xué)濾波器的制片基底。具有拋光面的大塊硅也用作物理實(shí)驗(yàn)中的中子靶。硅通過(guò)Czochralski提拉法技術(shù)（CZ）生長(zhǎng)并且包含一些導(dǎo)致9um的吸收帶的氧。為了避免這種情況，硅可以通過(guò)（FZ）工藝制備。光學(xué)硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補(bǔ)償材料中有效。摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。

IR拋光CZ(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片),IR拋光CZ(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)

通用參數(shù)

透射范圍：	1.2〜15μm（1）
折射率：	3.4223 @5μm（1）（2）
反射損耗：	46.2％@5μm（2個(gè)表面）
吸收系數(shù)：	0.01cm -1 at 3μm
吸收峰：	n / a
dn / dT：	160×10-6 /℃（3）
dn /dμ= 0：	10.4μm
密度：	2.33g / cc
熔點(diǎn)：	1420℃
熱導(dǎo)率：	273.3W m-1 K-1
熱膨脹：	2.6×10 -6 /℃ at 20℃
硬度：	Knoop 1150
比熱容：	703JKg-1K-1
介電常數(shù)：	13 at 10GHz
楊氏模量（E）：	131GPa（4）
剪切模量（G）：	79.9GPa（4）
體積模量（K）：	102GPa
彈性系數(shù)：	C11 = 167; C12 = 65; C44 = 80（4）
表觀彈性限：	124.1MPa（18000 psi）
泊松比：	0.266（4）
溶解性：	不溶于水
分子量：	28.09
類(lèi)別/結(jié)構(gòu)：	立方鉆，F(xiàn)d3m

折射率:(No = Ordinary Ray)

µm	No	µm	No	µm	No
1.357	3.4975	1.367	3.4962	1.395	3.4929
1.5295	3.4795	1.660	3.4696	1.709	3.4664
1.813	3.4608	1.970	3.4537	2.153	3.4476
2.325	3.4430	2.714	3.4358	3.000	3.4320
3.303	3.430	3.500	3.4284	4.000	3.4257
4.258	3.4245	4.500	3.4236	5.000	3.4223
5.500	3.4213	6.000	3.4202	6.500	3.4195
7.000	3.4189	7.500	3.4186	8.000	3.4184
8.500	3.4182	10.00	3.4179	10.50	3.4178
11.04	3.4176

硅CZ圓形窗片:

訂購(gòu)型號(hào)	規(guī)格（D×L）	材料類(lèi)型	應(yīng)用光譜范圍
SICZP10-0.5	10.0×0.5mm	CZ	IR polished
SICZP25-2	25.0×2.0mm	CZ	IR polished
SICZP25.4-1	25.4×1.0mm	CZ	IR polished
SICZP25.4-4	25.4×4.0mm	CZ	IR polished
SICZP25.4-7W	25.4mm Ø x 7mm CT 7.5° 楔形	CZ	IR polished
SICZP30-2	30.0×2.0mm	CZ	IR polished
SICZP30-2AR	30.0×2.0mm AR	CZ	IR polished
SICZP32-3D	32.0×3.0mm 打孔	CZ	IR polished
SICZP32-3	32.0×3.0mm 未打孔	CZ	IR polished
SICZP50-3	50.0×3.0mm	CZ	IR polished

硅FZ圓形窗片:

訂購(gòu)型號(hào)	規(guī)格（D×L）	材料類(lèi)型	應(yīng)用光譜范圍
SIFZP10-2	10.0×2.0mm	FZ	IR
SIFZP12-1	12.0×1.0mm	FZ	IR
SIFZP13-1	13.0×1.0mm	FZ	IR
SIFZP15-1	15.0×1.0mm	FZ	IR
SIFZP25.4-0.5	25.4×0.5mm	FZ	IR
SIFZP25.4-1	25.4×1.0mm	FZ	IR
SIFZP30-2	30.0×2.0mm	FZ	IR
SIFZP30-3	30.0×3.0mm	FZ	IR

矩形CZ硅Si窗片:

訂購(gòu)型號(hào)

規(guī)格（L×W×H）

材料類(lèi)型

應(yīng)用光譜范圍

SICZP25-15-2

25.0×15.0×2.0mm

SICZP50-50-10NEUT

50mm x 50mm x 10mm N-type (111)

硅 (Si) 塊單面拋光，用于中子反射率 (Neutron Reflectivity)

公司簡(jiǎn)介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司是一家被上海市評(píng)為技術(shù)企業(yè)的業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項(xiàng)目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m²的辦公區(qū)域，建有500平的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗(yàn)室，為國(guó)內(nèi)外客戶提供業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營(yíng)光學(xué)元件、激光光學(xué)測(cè)試設(shè)備、以及光學(xué)系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。依托業(yè)、強(qiáng)大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團(tuán)隊(duì)，筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長(zhǎng)。目業(yè)務(wù)覆蓋國(guó)內(nèi)外各高校、頂科研機(jī)構(gòu)及相關(guān)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團(tuán)隊(duì)以及業(yè)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，奠定了我們?cè)谠O(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)域堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
主要經(jīng)營(yíng)
激光器/光源
半導(dǎo)體激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
氣體激光器（HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器）
光纖激光器（連續(xù)激光器、超短脈沖激光器）
光學(xué)元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅(qū)動(dòng)板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準(zhǔn)直器、光接收組件、激光控制驅(qū)動(dòng)器等各種無(wú)源器件
激光分析設(shè)備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀，激光波長(zhǎng)計(jì)、紅外相機(jī)、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀察鏡等
光纖處理設(shè)備
光纖拉錐機(jī)、裸光纖研磨機(jī) 。